Siliceno
Historia
Aunque los teóricos han especulado[1][2][3] sobre la existencia y las posibles propiedades del siliceno, los investigadores observaron primero estructuras de silicio que sugerían al siliceno en 2010.[4][5][6] Usando el microscopio de efecto túnel, estudiaron el autoensamblaje molecular de las nanocintas de siliceno y las hojas de siliceno depositadas sobre un cristal de plata con resolución atómica. Las imágenes revelaron hexágonos en una estructura de panal similar a la del grafeno.
Los cálculos con la Teoría del funcional de la densidad (DFT) mostraron que los átomos de silicio tienden a formar tales estructuras de panal en la plata, y a adoptar una ligera curvatura que la hace más apropiada para una configuración tipo grafeno.
En adición a su potencial compatibilidad con las técnicas existentes de semiconductores, el siliceno tiene la ventaja de que sus bordes no exhiben reactividad al oxígeno.[7]

Recientes cálculos DFT han revelado que los grupos (clústers) de siliceno son excelentes materiales para aplicaciones FET. Curiosamente, el siliceno en 2D no es realmente plano y parecen haber distorsiones como arrugas tipo silla distortions en los anillos. Esto lleva a tener ondas ordenadas en su superficie. La hidrogenación de silicenos a silicanos es bastante exotérmica. Esto ha llevado a la predicción de que el proceso de conversión del siliceno al silicane (siliceno hidrogenado) puede ser un eventual candidato para el almacenamiento de hidrógeno. A diferencia del grafito, el cual consiste de varias capas de grafeno débilmente unidas mediante fuerzas de dispersión, el acople entre capas en los silicenos es muy fuerte.[8]
La primera revisión sobre el siliceno ha aparecido.[9]
Progreso reciente
Se reportó que el siliceno crecía en la superficie de Ag(111).[6] Recientemente cuatro grupos han reportado de manera independiente fases ordenadas sobre la misma superficie.[10][11][12][13]
También se ha reportado que el siliceno crece sobre un sustrato de ZrB2.[14][15]
Véase también
Referencias
- Kyozaburo Takeda and Kenji Shiraishi (1994). «Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite». Physical Review B 50 (20): 14916. doi:10.1103/PhysRevB.50.14916.
- G. G. Guzman-Verri and L. C. Lew Yan Voon (2007). «Electronic structure of silicon-based nanostructures». Physical Review B 76 (7): 075131. doi:10.1103/PhysRevB.76.075131.
- Cahangirov, Topsakal, Akturk, Sahin and Ciraci (2009). «Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium». Physical Review Letters 102 (23): 236804. Bibcode:2009PhRvL.102w6804C. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804.
- B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, B. Ealet and G. Le Lay (2010). «Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene». Applied Physics Letters 96: 183102.
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- B. Lalmi, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet and B. Aufray (2010). «Epitaxial growth of a silicene sheet». Applied Physics Letters 97: 223109.
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Enlaces externos
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