Fotodiodo

Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energía incide en el diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.

Un fotodiodo será sensible únicamente a una longitud de onda de la luz incidente. Cuál sea esa longitud de onda dependerá del que se conoce como gap energético del dispositivo. Dado que la energía es igual a la constante de Planck por la frecuencia del fotón incidente (E=h·f), es sencillo ver la relación. Únicamente los fotones con la energía adecuada como para hacer pasar un electrón de la banda de conducción a la banda de valencia (generándose así la corriente) serán adecuados para la tarea.

Al objeto de ser utilizado de acuerdo a este fin, el fotodiodo debe ser polarizado en inversa (mayor tensión en el cátodo que en el ánodo). Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz incidente sobre él. En ausencia de luz la corriente presente es muy pequeña y recibe el nombre de corriente de oscuridad. De esa manera, puede calcularse la intensidad de luz que incide sobre el fotodiodo conociendo el valor de la corriente en inversa que por él circula. Bastará con restar a dicha corriente el calor de la corriente de oscuridad y dividir entre la sensibilidad del dispositivo para hacerlo.

Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Todas estas características pueden encontrarse en el manual del fabricante.

El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualquier otro material semiconductor.

La sensibilidad de estos materiales se puede expresar con un parámetro llamado "responsibidad", la cual expresa la cantidad de corriente eléctrica generada con respecto a la potencia de la luz que incide sobre el material (Io=R.Po). Este valor varía con respecto a la longitud de onda de la luz incidente y basándonos en medidas y experimentos, se ha conocido en qué longitudes de onda los materiales son más eficientes.

También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido.

Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

• A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
• Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco del CD transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
• Usados en fibra óptica

La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de células solares económicas, miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS, así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica.

Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgánico, basado en fotodiodos orgánicos.

Se describen fotodetectores de silicio con una respuesta espectral definida por el diseño. Para ello, se aprovechan las modernas tecnologías de micromecanizado en general, así como dos propiedades del fotodetector de silicio integrado en particular. En primer lugar, se aprovecha la dependencia de la longitud de onda del coeficiente de absorción. En segundo lugar, se aprovecha el hecho de que el filtro de interferencia multicapa en la unión pn se desarrolla mediante el procesamiento de una oblea de silicio. El índice de refracción del complejo de silicio, n * = n - jk, depende de la longitud de onda en la parte perceptible del espectro debido a una brecha de banda indirecta a 1,12 eV y a la posibilidad de una transición directa a 3,4 eV, que hace que el material absorba en gran medida la radiación ultravioleta y actúe también prácticamente como un material transparente para longitudes de onda superiores a 800 nm. Este mecanismo permite el diseño de sensores de color y también de fotodiodos con respuesta discernible en el conjunto IR o UV. La transmisión de la luz del evento con una pila superficial de películas delgadas al silicio volumétrico depende de la longitud de onda. La necesaria compatibilidad con los procesos microelectrónicos convencionales en el silicio limita la gama de materiales ideales a los materiales compatibles con el silicio utilizados tradicionalmente para la fabricación de circuitos integrados. Se proporcionan datos precisos sobre: Si cristalino, SiO2 crecido térmicamente, polisilicio LPCVD, nitruro de silicio (de baja pérdida y estequiométrico) y también óxidos (LTO, PSG, BSG, BPSG), oxinitruros PECVD, así como metales de película delgada para aumentar la calidad predictiva de la simulación. En el caso de un microespectrómetro completo, se suelen utilizar acciones de micromecanizado para fabricar el componente de difusión. Se presentan dispositivos que funcionan en el espectro visible o infrarrojo basados en una rejilla Fabry-Perot o en un etalón.[1]

• Célula fotovoltaica
• Fototransistor
• Diodo
• Semiconductor
• Sensor infrarrojo

• www.unicrom.com/Tut_fotodiodo
• platea.pntic.mec.es/~lmarti2/opto2
• robots-argentina.com.ar/Sensores_fotodiodos.htm
• www.servisystem.com.ar/tutorial/audio/cd/fotodiodos.html Archivado el 9 de junio de 2017 en Wayback Machine.